[发明专利]薄膜的形成方法

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，是通过在真空中在具有表面和背面的基板上沉积成膜材料来形成薄膜的薄膜形成方法，包括：

第一配置工序，该工序在第一薄膜形成区域以接近所述背面的方式配置第一冷却面；

第一薄膜形成工序，该工序在所述基板的所述表面上在所述第一薄膜形成区域内形成薄膜；和

第一冷却工序，该工序在第一薄膜形成工序的实施中，通过将含有与所述成膜材料反应的气体的冷却用气体导入到所述第一冷却面和所述背面之间来冷却所述基板。

2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，

通过对所述表面的规定部位实施多次的第一薄膜形成工序，在该部位形成多层薄膜；

在形成第一层的薄膜时导入的与所述成膜材料反应的气体的量，比在形成第二层的薄膜时导入的与所述成膜材料反应的气体的量少。

3.根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其中，

通过对所述表面的规定部位实施多次的第一薄膜形成工序，在该部位形成多层薄膜，此时，

在形成第一层的薄膜的第一薄膜形成工序的实施中，在所述第一冷却面和所述背面之间不导入冷却用气体、或者导入以不与所述成膜材料反应的气体为主体的冷却用气体，

在形成第二层及其以后的薄膜的第一薄膜形成工序的实施中，进行第一冷却工序。

4.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，包括：

第二配置工序，该工序在第二薄膜形成区域以接近所述表面的方式配置第二冷却面；

第二薄膜形成工序，该工序在所述基板的所述背面上在所述第二薄膜形成区域内形成薄膜；和

第二冷却工序，该工序在第二薄膜形成工序的实施中，通过将含有与所述成膜材料反应的气体的冷却用气体导入到所述第二冷却面和所述表面之间来冷却所述基板，

在所述基板的两面形成薄膜。

5.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，所述基板为金属箔。

6.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，与所述成膜材料反应的气体包含氧。

7.根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其中，所述第一层的薄膜形成时的膜沉积速度比所述第二层及其以后的任一层的薄膜形成时的膜沉积速度慢。

8.根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其中，在所述第一层的薄膜形成时的所述冷却用气体的总导入量比第二层及其以后的任一层的薄膜形成时的所述冷却用气体的总导入量少。

9.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其中，所述薄膜含有所述成膜材料和氧。