[发明专利]具有补偿元件的STRAM有效
| 申请号： | 200980147066.0 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102224546A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | Y·郑;D·季米特洛夫;D·王;田伟;王小斌;X·娄 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了具有补偿元件的自旋转移矩存储器。自旋转移矩存储单元包括合成反铁磁基准元件、合成反铁磁补偿元件、合成反铁磁基准元件和合成反铁磁补偿元件之间的自由磁性层、以及将自由磁性层和合成反铁磁基准元件分隔开的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层。自由磁性层具有大于1100emu/cc的饱和磁矩值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 元件 stram | ||
【主权项】：
一种自旋转移矩存储单元，包括：合成反铁磁基准元件；合成反铁磁补偿元件；在所述合成反铁磁基准元件和所述合成反铁磁补偿元件之间的自由磁性层，所述自由磁性层具有大于1100emu/cc的饱和磁矩值；将所述自由磁性层与所述合成反铁磁基准元件分隔开的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层；以及将所述合成反铁磁补偿元件和所述自由磁性层分隔开的电绝缘层。
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