[发明专利]多结光电器件及其生产方法无效

专利信息
申请号: 200980145911.0 申请日: 2009-11-18
公开(公告)号: CN102217079A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: T·苏德斯涛姆;F-J·豪格;X·尼丘勒 申请(专利权)人: 纽沙泰尔大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/078
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 瑞士纽*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 发明涉及一种多结光电器件(1),包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n-i-p或n-p配置的至少两个基本光电器件(4,6)、以及在两个相邻基本光电器件(4,6)之间提供的至少一个中间层(5)。根据本发明的中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11),所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度,并且所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态,使得α90底部小于α90顶部至少3°,优选地6°,更优选地10°,并且更优选地15°;其中α90顶部是这样的角度:中间层(5)的顶部面(10)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度,并且α90底部是这样的角度:中间层(5)的底部面(11)的表面的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度。
搜索关键词: 光电 器件 及其 生产 方法
【主权项】:
一种多结光电器件(1),包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n‑i‑p或n‑p配置的至少两个基本光电器件(4,6)、以及在两个相邻基本光电器件(4,6)之间提供的至少一个中间层(5),其特征在于,所述中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11),所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度,并且其特征在于,所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态,使得α90底部小于α90顶部至少3°,优选地6°,更优选地10°,并且甚至更优选地15°;其中α90顶部是这样的角度:所述中间层(5)的顶部面(10)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度,并且α90底部是这样的角度:所述中间层(5)的底部面(11)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度。
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