[发明专利]多结光电器件及其生产方法无效
申请号: | 200980145911.0 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN102217079A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | T·苏德斯涛姆;F-J·豪格;X·尼丘勒 | 申请(专利权)人: | 纽沙泰尔大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/078 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 瑞士纽*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种多结光电器件(1),包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n-i-p或n-p配置的至少两个基本光电器件(4,6)、以及在两个相邻基本光电器件(4,6)之间提供的至少一个中间层(5)。根据本发明的中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11),所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度,并且所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态,使得α90底部小于α90顶部至少3°,优选地6°,更优选地10°,并且更优选地15°;其中α90顶部是这样的角度:中间层(5)的顶部面(10)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度,并且α90底部是这样的角度:中间层(5)的底部面(11)的表面的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度。 | ||
搜索关键词: | 光电 器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种多结光电器件(1),包括其上沉积第一导电层(3)的基底(2)、其上沉积第二导电层(7)的n‑i‑p或n‑p配置的至少两个基本光电器件(4,6)、以及在两个相邻基本光电器件(4,6)之间提供的至少一个中间层(5),其特征在于,所述中间层(5)具有在进光侧的顶部面(10)和在另一侧的底部面(11),所述底部面(11)具有大于150nm的峰到谷粗糙度,并且其特征在于,所述顶部面(10)和底部面(11)分别具有包括倾斜的基本表面的表面形态,使得α90底部小于α90顶部至少3°,优选地6°,更优选地10°,并且甚至更优选地15°;其中α90顶部是这样的角度:所述中间层(5)的顶部面(10)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度,并且α90底部是这样的角度:所述中间层(5)的底部面(11)的基本表面的90%具有等于或小于该角度的倾斜度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纽沙泰尔大学,未经纽沙泰尔大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980145911.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的