[发明专利]用于膜粗糙度控制的非化学计量化学气相沉积电介质膜表面钝化方法

摘要

本发明提供一种用于在电介质膜的化学气相沉积(CVD)中减小膜表面粗糙度的方法。所述方法可包含通过反应物从CVD电介质膜的膜表面移除悬挂键。为减小电介质膜的表面粗糙度，另一方法可通过蒸汽环境中的反应物气体对所述电介质膜或先前电介质膜或者所述电介质膜及先前电介质膜的非化学计量膜表面进行钝化。所述电介质膜可包含出自以下群组中的至少一者：透紫外光氮化硅(UVSIN)、富硅氧化物(SRO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或氧氮化硅(SiON)。所述反应物气体可包含出自以下群组中的至少一者：氨气(NH3)、氢气(H2)、一氧化二氮(N2O)或氧气(O2)。

主权项

一种用于在电介质膜的化学气相沉积(CVD)中减小膜表面粗糙度的方法，其包括以下步骤：通过反应物移除CVD电介质膜的膜表面上的悬挂键。