[发明专利]用硬掩模及两次曝光形成半导体元件的接触及导通孔有效
| 申请号： | 200980141244.9 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102187453A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | S·拜尔;K·弗罗贝格;K·赖歇;K·拉特洛夫 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 基于硬掩模(233)可形成接触元件，而基于第一阻剂掩模(210)和基于第二阻剂掩模(211)可图样化该硬掩模(233)，藉此可定义可描述接触元件之最终设计尺寸的适当交叉区域(234)。结果，可用限制较少之约束基于黄光微影制程来形成每个阻剂掩模，因为可选择横向尺寸中之至少一者作为两个阻剂掩模中之每一的非关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 用硬掩模 两次 曝光 形成 半导体 元件 接触 导通孔 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含下列步骤：在形成于半导体元件之材料层上的硬掩模层上方形成第一阻剂掩模；基于该第一阻剂掩模在该硬掩模层中形成第一开孔，该第一开孔在第一横向有第一尺寸以及在不同于该第一横向的第二横向有第二尺寸，该第一尺寸小于该第二尺寸；在该硬掩模层上方形成第二阻剂掩模，该第二阻剂掩模有与该第一开孔一起定义交叉区域的第二开孔；以及基于该交叉区域在该材料层中形成接触开孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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