[发明专利]对无铅焊料合金进行掺杂以及由此形成的结构有效
| 申请号： | 200980139227.1 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102171803A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | M·庞;C·古鲁默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法包括用镍对无铅焊接材料进行掺杂，其中镍构成焊接材料的最大为大约0.2重量％，并且然后将焊接材料施加至包括铜焊盘的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 焊料 合金 进行 掺杂 以及 由此 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：使用镍对无铅焊接材料进行掺杂，其中所述镍构成所述焊接材料的最大为大约0.2重量％；以及将镍掺杂的无铅焊接材料施加至基板的铜焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
