[发明专利]波长受控的半导体激光器设备有效
申请号: | 200980136299.0 | 申请日: | 2009-09-16 |
公开(公告)号: | CN102160246A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | H·M·门希;P·G·格莱赫;M·卡派;A·M·范德利 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/06;H01S5/068;G01P3/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢建云;刘鹏 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 半导体激光器设备包含具有集成光电二极管的激光二极管,其中具有集成光电二极管的激光二极管的部件其中之一也被用于加热激光二极管。因而获得了一种设计更简单的波长受控的半导体激光器。 | ||
搜索关键词: | 波长 受控 半导体激光器 设备 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器设备(1),包含激光二极管设备(3),其具有半导体激光二极管,集成光电二极管(200),以及用于电连接所述半导体激光二极管和所述集成光电二极管(200)的电接触,所述半导体激光器设备还包含用于通过稳定或设定该激光二极管设备(3)的温度来设定或稳定激光波长的反馈控制电路(10),所述反馈控制电路(10)被设置以响应于测量的温度依存参数生成加热电压或电流,所述加热电压或电流应用到所述激光二极管设备(3)的电接触,所述电接触至少其一也电连接所述半导体激光二极管或所述集成光电二极管(200),使得加热电流流过该激光二极管设备(3)并且加热所述半导体激光二极管。
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