[发明专利]波长受控的半导体激光器设备

权利要求书

1. 一种半导体激光器设备（1），包含

激光二极管设备（3），其具有

半导体激光二极管，

集成光电二极管（200），以及

用于电连接所述半导体激光二极管和所述集成光电二极管（200）的电接触，所述半导体激光器设备还包含

用于通过稳定或设定该激光二极管设备（3）的温度来设定或稳定激光波长的反馈控制电路（10），所述反馈控制电路（10）被设置以响应于测量的温度依存参数生成加热电压或电流，

所述加热电压或电流应用到所述激光二极管设备（3）的电接触，所述电接触至少其一也电连接所述半导体激光二极管或所述集成光电二极管（200），使得加热电流流过该激光二极管设备（3）并且加热所述半导体激光二极管。

2. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，所述激光二极管设备（3）包含具有集成光电二极管（200）的垂直腔面发射激光器（300）。

3. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，所述集成光电二极管（200）在反向偏置工作，并且用于稳定或设定该激光二极管设备的温度的所述反馈控制电路被设置以设定该集成光电二极管（200）两端的电压，该集成光电二极管藉此被由所接收的光感应形成的光电流加热。

4. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，用于电连接该半导体激光二极管和该集成光电二极管的所述电接触至少其一具有连接到所述反馈控制电路的两个端点，其中所述加热电流在所述两个端点之间流动。

5. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该加热电流或电压在位于公共表面上的两个横向分离电接触之间馈送，所述电接触至少其一接触所述半导体激光二极管或所述集成光电二极管。

6. 根据权利要求5的半导体激光器设备，其特征在于，所述分离电接触由不同材料制成。

7. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该反馈控制电路的输入端连接到所述半导体激光二极管的电接触，所述反馈控制电路测量该激光二极管的正向电压。

8. 根据权利要求7的半导体激光器设备，其特征在于，如果激光二极管温度低于与预定波长对应的温度，只要在固定工作电流时该工作电压低于预定值，则所述半导体激光二极管被该反馈控制电路加热。

9. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该反馈控制电路（10）测量与由所述加热电流或电压加热的部分的电阻对应的参数。

10. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该反馈控制电路的输入端连接到所述集成光电二极管的电接触，并且该集成光电二极管测量的光输出作为输入参数被馈送到该反馈控制电路，该反馈控制电路依据该光输出设定该加热电流或电压。

11. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该半导体激光二极管形成为衬底（100）上的台面结构，该台面结构至少部分地被所述衬底（100）中的槽（600）围绕。

12. 根据权利要求1的半导体激光器设备，其特征在于，该半导体激光二极管形成为衬底（100）上的台面结构，其中部分氧化的层布置在所述台面和所述衬底（100）之间。

13. 具有半导体激光器设备，特别是具有根据权利要求1的半导体激光器设备的车辆速度或距离传感器，所述半导体激光器设备包含

半导体激光二极管，

自混合信号解码电路，其用于根据激光强度的自混合振荡测量与距离或速度有关的参数，以及

反馈控制电路，其具有用于检测温度相关参数的输入端并且控制加热所述半导体激光二极管的加热电流或加热电压，所述反馈环路电路藉此将所述半导体激光二极管的温度稳定在至少20℃的值。

14. 根据权利要求13的车辆速度或距离传感器，其特征在于，所述反馈控制电路将所述半导体激光二极管的温度稳定在不高于100℃的值。