[发明专利]包含有用于减小热应力的双缓冲层的静电吸盘有效
申请号: | 200980135899.5 | 申请日: | 2009-09-08 |
公开(公告)号: | CN102150252A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 崔镇植;崔正德 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 段迎春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在静电吸盘和制造该静电吸盘的方法中,所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体;具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极的基板;具有通过所述穿透孔和所述插入部分与所述电极接触的端子以及将所述主体与所述端子电绝缘开的绝缘构件的端子单元;设置在所述主体和所述绝缘构件之间的第一边界区域处的第一缓冲层,该第一缓冲层用于吸收热应力;以及设置在所述基板和所述绝缘构件之间的第二边界区域处的第二缓冲层,该第二缓冲层防止裂纹生长。因此,热应力被吸收到所述第一缓冲层并且第二缓冲层防止了裂纹生长。 | ||
搜索关键词: | 含有 用于 减小 应力 缓冲 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
一种静电吸盘,包括:具有穿透孔的主体;设置在所述主体上的基板,在该基板上通过静电力紧固有衬底,所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极;端子单元,其具有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子以及将所述主体与所述端子电绝缘的绝缘构件;设置在所述主体和所述绝缘构件之间的第一边界区域处的第一缓冲层,该第一缓冲层吸收所述主体的热应力;以及设置在所述基板和所述绝缘构件之间的第二边界区域处的第二缓冲层,该第二缓冲层防止裂纹生长到所述基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高美科株式会社,未经高美科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980135899.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造