[发明专利]自对准沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 200980135752.6 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102150253A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 沃纳·云林;理查德·莱恩 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的形成方法，其包含形成自对准沟槽，其中使用第一组沟槽(300)来对准第二组沟槽(302)。本文所教示的方法可用作间距加倍技术，且因此可提高装置整合度。另外，通过使用极薄CMP终止层(211)并使周围材料凹陷与所述CMP终止层(211)的厚度大致相等的量可在所述装置的表面上提供改善的平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成装置的方法，所述方法包括：在衬底上形成多晶硅层；在所述衬底中形成第一组沟槽，其中所述多晶硅层的剩余部分保留于所述衬底上在所述第一组的沟槽间的沟槽间区域中；使用填充剂材料填充所述第一组沟槽，其中所述填充剂材料向上至少延伸到毗邻所述多晶硅层的所述剩余部分的水平；从所述沟槽间区域选择性蚀刻所述多晶硅层的所述剩余部分；在所述沟槽间区域中的所述填充剂材料的侧壁上形成间隔层；及在所述衬底中在所述间隔层间蚀刻出第二组沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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