[发明专利]用于产生纳米颗粒的低压高频脉冲等离子体反应器有效
| 申请号： | 200980134077.5 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102144275A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | J·A·凯西;V·A·莎玛米安 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于合成纳米颗粒的低压甚高频脉冲等离子体反应器系统。该系统包括腔室，该腔室用于接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强。该系统还包括用于从至少一种前驱体气体产生等离子体的等离子体源，以及用于以所选频率提供连续或脉冲射频功率至等离子体的甚高频射频功率源。该频率是基于脉冲射频功率和等离子体之间的耦合效率来选择的。VHF放电和气体前驱体的参数是基于纳米颗粒性质来选择的。纳米颗粒平均大小和颗粒大小分布是通过控制辉光放电的驻留时间(脉冲调制等离子体)相对于通过放电区的气体分子驻留时间、以及纳米颗粒前驱体气体(一种或多种)的质量流量来操控的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 纳米 颗粒 低压 高频 脉冲 等离子体 反应器 | ||
【主权项】：
一种低压高频脉冲等离子体反应器系统，包括：流量控制器，用于控制至少一种前驱体气体的流量；腔室，被配置为接纳至少一个基板，并且能够被抽真空至所选压强；等离子体源，用于从所述至少一种前驱体气体生成等离子体；以及甚高频射频功率源，用于以基于脉冲射频功率源和等离子体之间的耦合效率选择的射频向等离子体提供脉冲射频功率，其中所述射频功率的至少一个参数能够基于通过向等离子体提供脉冲射频功率而形成的纳米颗粒的至少一个性质而被选择。
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