[发明专利]绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜无效
| 申请号： | 200980134004.6 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102138205A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 大野隆央;田岛畅夫;稻石美明;神力学;宫泽和浩 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人物质·材料研究机构;大阳日酸株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C23C16/42 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供了以下述化学式(1)表示的等离子体CVD用绝缘膜材料，使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。在式(1)中，m和n是3～6的整数，m和n在一个分子中可以相同，也可以相互不同。 |
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| 搜索关键词： | 绝缘 材料 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体CVD用绝缘膜材料，以下述化学式(1)表示，![]()
在式(1)中，m和n是3～6的整数，m和n在一个分子中可以相同，也可以相互不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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