[发明专利]用于在半导体器件上制造功能层的方法和装置

摘要

本发明涉及一种通过把流体沉积到半导体器件表面的至少一个区域上而在该至少一个区域上制造至少一个功能层的方法，其中所述功能层具有层厚d1，为构造厚度为di的该功能层所需要的流体具有层厚d2。为了可再现地制造所需要的薄的且厚度均匀的功能层，建议过剩地以层厚d3在所述表面的至少一个区域上敷设流体，其中d3>d2，并且接着在平移运动的或静止布置的半导体器件的情况下，在一个范围内从所述表面无接触地去除过剩的流体，使得流体层具有厚度d2或约具有厚度d2。

主权项

一种通过把流体沉积到半导体器件表面的至少一个区域上而在该至少一个区域上制造至少一个功能层的方法，所述半导体器件尤其是太阳能电池，其中所述功能层具有层厚d1，为构造厚度为d1的该功能层所需要的流体具有层厚d2，其特征在于，过剩地以层厚d3在所述表面的至少一个区域上敷设流体，其中d3>d2，并且接着在平移运动的或静止布置的半导体器件的情况下，在一个范围内从所述表面无接触地去除过剩的流体，使得流体层具有厚度d2或约具有厚度d2。