[发明专利]校正过度编程非易失性存储器有效
| 申请号： | 200980133256.7 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102132355A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·W·卢茨;李艳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/16;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性存储系统通过对连接到公共字线(或其他类型的控制线)的非易失性存储元件的子集选择性地进行一个或更多擦除操作来校正被过度编程的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 校正 过度 编程 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种用于操作非易失性存储器的方法，包括：编程非易失性存储元件；识别所述非易失性存储元件的被过度编程的子集；以及通过对于所述非易失性存储元件的被识别的子集将沟道区的第一集合升压到第一电压范围，而对于未识别为被过度编程的非易失性存储元件不将沟道区的第二集合升压到所述第一电压范围，并将擦除使能电压施加到所述非易失性存储元件的被过度编程的被识别的子集以及未识别为被过度编程的所述非易失性存储元件，来对所述非易失性存储元件的被过度编程的被识别的子集选择性地进行一个或更多擦除操作，所述沟道区的第一集合和所述沟道区的第二集合是公共衬底区的部分。
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