[发明专利]高纯度结晶硅、高纯度四氯化硅及其制造方法无效
| 申请号： | 200980132941.8 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102143909A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 林田智;加藤渉 | 申请（专利权）人： | 智索株式会社;JX日鉱日石金属株式会社;东邦钛株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明之课题为提供一种不仅能满足作为太阳电池用硅原料的品质要求、亦能满足作为最新半导体用硅的品质要求的一部分、价格更低的高纯度结晶硅及其制造方法、及高纯度结晶硅制造中使用的高纯度四氯化硅及其制造方法。本发明的高纯度结晶硅的特征为，硼含量小于等于0.015ppmw，锌含量为50ppbw～1000ppbw。本发明的高纯度结晶硅制造方法包括对立式反应器内供给四氯化硅气体及锌气并于800℃～1200℃反应，借此于四氯化硅气体供给喷嘴的前端部生成粗晶硅，使粗晶硅自四氯化硅气体供给喷嘴的前端部朝向下成长，将成长的粗晶硅排至反应器外部，对所排出的粗晶硅进行酸处理。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 结晶 氯化 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度结晶硅，其特征在于：硼含量小于等于0.015ppmw，且锌含量为50ppbw～1000ppbw。
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