[发明专利]细微结构体及其制造方法无效
| 申请号： | 200980132233.4 | 申请日： | 2009-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102123941A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 多田靖彦;吉田博史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/3065;C08F297/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的细微结构体的制造方法，其特征在于，具有以下阶段：含有至少具有第1链段(101)及第2链段(102)的高分子嵌段共聚物(103)的高分子层在基板(105)的表面进行配置的第1阶段；以及使高分子层发生微相分离，使由第2链段(102)作为成分的连续相(204)与在该连续相(204)的贯穿方向上排列的以第1链段(101)作为成分的微畴(104)形成的结构呈现的第2阶段；基板(105)具有与在形成微畴(104)的位置上离散配置的基板(105)的表面化学性质不同的图案部件，在第1阶段配置的高分子层的厚度t与高分子嵌段共聚物(103)形成的微畴(104)的固有周期do的关系为：(m+0.3)×do＜t＜(m+0.7)×do，m为0以上的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 细微 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
细微结构体的制造方法，其特征在于，具有下列阶段：将含有至少具有第1链段及第2链段的高分子嵌段共聚物的高分子层在基板表面上配置的第1阶段；以及使上述高分子层发生微相分离，使由上述第2链段作为成分的连续相与在该连续相的贯穿方向上排列的以上述第1链段作为成分的微畴形成的结构呈现的第2阶段；上述基板，在形成上述微畴的位置上离散配置，具有与该基板表面的化学性质不同的图案部件，在上述第1阶段配置的上述高分子层的厚度t，与上述高分子嵌段共聚物形成的微畴的固有周期do的关系为：(m+0.3)×do＜t＜(m+0.7)×dom为0以上的整数。
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