[发明专利]用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料

摘要

本发明描述了利用各种等级的硅进料来形成硅锭和硅晶体的技术。共同的特征是将预定量的锗加入到熔体中并进行结晶以将锗并入各自的晶体硅材料的硅晶格中。这样并入的锗导致各自的硅材料特性的改进，主要是增加的材料强度。这导致在太阳能电池制造中应用这样的材料时和由那些太阳能电池制造模件时的积极效果。具有在(50-200)ppmw范围内的锗浓度的硅材料呈现出增加的材料强度，其中最佳实施范围取决于生产的材料质量。

主权项

一种用于形成具有改进的机械和电特性的晶体硅的方法，包括以下步骤：利用预定量的硅进料材料引发硅结晶过程；向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为99.99％的预定量的锗；由各自的硅进料材料和所述量的锗产生熔体；以及进行所述熔体的结晶。