[发明专利]用于制造太阳能电池的锗富集的硅材料

权利要求书

1.一种用于形成具有改进的机械和电特性的晶体硅的方法，包括以下步骤：

利用预定量的硅进料材料引发硅结晶过程；

向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为99.99％的预定量的锗；

由各自的硅进料材料和所述量的锗产生熔体；以及进行所述熔体的结晶。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用预定量的硅进料材料来引发定向凝固硅结晶过程的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用预定量的UMG硅进料材料来引发定向凝固硅结晶过程的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用EG硅进料材料来引发CZ硅晶体拉制过程的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用SOG硅进料材料来引发CZ硅晶体拉制过程的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括利用EG硅补给棒来引发FZ硅结晶过程的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为99.999％纯度的一定量的锗的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括向所述硅进料材料中加入在50到200ppmw范围内的量的锗的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括向所述硅进料材料中加入在100到150ppmw范围内的量的锗的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括向所述硅进料材料中加入在120到180ppmw范围内的量的锗的步骤。

11.一种用于由硅进料形成晶体硅的系统，包括：

硅晶体形成机构，用于利用预定量的硅进料材料来引发硅结晶过程；

加入到所述硅进料材料中的具有最低纯度水平的预定量的锗；

加热机构，用于由各自的硅进料材料和所述量的锗产生熔体；以及

凝固控制机构，用于进行所述熔体的结晶。

12.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于利用预定量的硅进料材料引发定向凝固硅结晶过程的机构。

13.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于利用预定量的UMG硅进料材料引发定向凝固硅结晶过程的机构。

14.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于利用EG硅进料材料引发CZ硅晶体拉制过程的机构。

15.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于利用SOG硅进料材料引发CZ硅晶体拉制过程的机构。

16.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于利用EG硅补给棒引发FZ硅结晶过程的机构。

17.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为99.99％纯度的一定量的锗的机构。

18.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于向所述硅进料材料中加入具有最低纯度水平为99.999％纯度的一定量的锗的机构。

19.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于向所述硅进料材料中加入在50到200ppmw范围内的量的锗的机构。

20.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于向所述硅进料材料中加入在100到150ppmw范围内的量的锗的机构。

21.根据权利要求11所述的系统，进一步包括用于向所述硅进料材料中加入在120到180ppmw范围内的量的锗的机构。

22.一种由晶体硅进料形成的光伏太阳能电池，包括：

用于进行光伏过程的硅本体材料，所述硅本体材料利用预定量的硅进料材料形成；以及

掺杂在硅衬底材料内的具有最低纯度水平为99.99％的预定量的锗，所述量的锗用于增加所述硅衬底的材料强度和改善所述硅衬底的电特性。

23.根据权利要求22所述的光伏太阳能电池，其中，所述硅本体材料包括UMG硅本体材料。

24.根据权利要求22所述的光伏太阳能电池，其中，所述硅本体材料包括SOG硅本体材料。

25.根据权利要求22所述的光伏太阳能电池，其中，所述硅本体材料包括EG硅本体材料。