[发明专利]硅精制方法有效
| 申请号： | 200980130258.0 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102112394A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 大久保裕夫;广濑洋一;永田浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅精制方法，至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束(EB)以去除金属杂质的凝固精制工序，所述凝固精制工序为：准备要进行一次精制的所述母材(20a)，将所述母材(20a)的一部分装填到水冷坩埚(10)中，对配置在高真空气氛中的所述装填的母材(20a)的一部分的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的一部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融的所述母材(20a)的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述母材(20a)整体之中的第一规定比例；在所述水冷坩埚(10)中进一步装填所述母材(20a)的剩余部分(20f)，对所述母材的剩余部分(20f)的全部区域照射所述电子束(EB)使所述母材(20a)的剩余部分全都熔融；缓慢地减弱所述电子束(EB)的输出，自熔融金属部(20d)的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部(20d)整体之中的第二规定比例；去除未凝固的熔融金属部(20j)。 | ||
| 搜索关键词： | 精制 方法 | ||
【主权项】：
一种硅精制方法，其特征在于，至少具有对由金属硅构成的母材照射电子束以去除金属杂质的凝固精制工序，所述凝固精制工序为依次进行(A)～(E)：(A)准备要进行一次精制的所述母材，将所述母材的一部分装填到水冷坩埚中，对配置在高真空气氛中的所述装填的母材的一部分的全部区域照射所述电子束使所述母材的一部分全都熔融；(B)缓慢地减弱所述电子束的输出，自熔融的所述母材的一部分的熔融金属底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述母材整体之中的第一规定比例；(C)在所述水冷坩埚中进一步装填所述母材的剩余部分，对所述母材的剩余部分的全部区域照射所述电子束，使所述母材的剩余部分全都熔融；(D)缓慢地减弱所述电子束的输出，自熔融金属部的底部向着熔融金属表面部缓慢凝固，进行凝固直至凝固的部分占所述熔融金属部整体之中的第二规定比例；(E)去除未凝固的熔融金属部。
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