[发明专利]用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐无效
| 申请号： | 200980127210.4 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102089859A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马修·F·戴维斯;托尔斯特恩·B·莱尔;连雷 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD测量相关的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可适性 对准 图案 成型 基于 序列 测量 过程 调谐 | ||
【主权项】：
一种自对准双图案成型的方法，其包含以下步骤：将第一基材装载至处理平台；蚀刻多层掩模层叠的第一层，以形成样板掩模；执行所述样板掩模的真空中临界尺寸(CD)测量；邻接所述样板掩模形成间隔物，所述间隔物形成达宽度，所述宽度与所述样板掩模的CD测量相关；及将所述第一基材从所述处理平台卸载。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
