[发明专利]膜淀积方法无效
| 申请号： | 200980124509.4 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102077319A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;田边达也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲衬底。在衬底弯曲的情况下，在衬底的一个主表面上淀积薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 膜淀积 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底(10、11)的一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)的膜淀积方法，包括如下的步骤：制备衬底(10、11)；相对于沿着所述一个主表面的方向弯曲所述衬底(10、11)；以及在所述衬底(10、11)弯曲的情况下，在所述衬底(10、11)的所述一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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