[发明专利]用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法无效
申请号: | 200980124406.8 | 申请日: | 2009-06-23 |
公开(公告)号: | CN102077377A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 李霞;朱晓春;升·H·康 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;C23C14/35;H01F41/18;H01J37/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法。明确地说,揭示一种在沉积期间对准磁膜的方法。所述方法包括在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场(130)。所述方法进一步包括在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场(132)。 | ||
搜索关键词: | 用以 制造 磁性 随机存取存储器 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种对准磁膜的方法,所述方法包含:在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场,其中所述磁膜包含所述第一磁性材料;及在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场。
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