[发明专利]闪存中的倒序页写入有效
| 申请号： | 200980122793.1 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102067237A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 梅纳赫姆·拉瑟 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克以色列有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 以色*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 为了在其字线按字线写顺序连续被写的存储器块中存储通过逻辑页地址排序的多个数据页，各页被写入到字线使得被写入到字线中的任意一条的每页具有比被写到随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管各页按何顺序被接收用于写。或者，各页被写到这些字线，使得对于每对被写的字线，在该对中在写顺序中较早的字线已经被写入了具有比被写入到该对中的另一字线的至少一页更高的逻辑页地址的页。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 中的 倒序 写入 | ||
【主权项】：
一种存储数据的方法，该数据被组织在根据逻辑页地址顺序而排序的多个页中，所述方法包括：提供包括块的存储器，所述块包括按字线写顺序连续被写的多条字线；接收所述多页数据；以及将所述多页写入到所述多条字线，被连续地写入的各页的逻辑页地址顺序为使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管这些页按何顺序被接收。
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