[发明专利]闪存中的倒序页写入

说明书

技术领域

在此描述的是写和读闪存的方法以及被这样读和写的闪存器件和系统。

背景技术

诸如NAND闪存的闪存被构造为存储器单元的矩形阵列。这些单元被安排在正交的位线和字线中。通过将足够的电荷注入到单元的浮置栅极中以将单元的阈值电压置于阈值电压的范围内来向每个单元写入一位或多位数据，其中该阈值电压的范围表示该位或那些位的值。通过比较闪存单元的阈值电压与参考电压来读闪存单元，其中这些参考电压标记各阈值电压范围之间的边界。在NAND闪存的情况下，一次一个完整字线地写和读各单元。字线20进一步被分组为块，使得一次一整块地擦除各单元。

一个给定块的字线顺序地被写。在一块的第一字线被写之后，写该块的随后字线可能干扰先前被写的字线，因为将电荷注入一条字线的各单元的浮置栅极中还可能影响到相邻字线的单元中的电场，由此可能将附近的先前被写的字线的各单元的阈值电压增加到改变由先前被写的附近的字线的各阈值电压所表示的各位值的点。在连续地被写的闪存单元之间的这种耦合称为Yupin效应。

已知两种常用的方法来减轻Yupin效应。第一方法是：无论何时读一块中的除了最后被写的字线以外的字线时，首先还读该块中的在目标字线被写之后被写的一条或多条字线，根据如被读的其他字线的单元的阈值电压来调整要用于读目标字线的参考电压，并使用调整的参考电压来读目标字线。该方法的缺点是，其通过要求读取两条或更多条字线以便正确地读目标字线而减慢了对目标字线的读。第二方法是通过将稍微小于足够的电荷注入到单元的浮置栅极中以将单元的阈值电压升高到期望的电平来写一块中的除了最后的字线以外的各字线。然后，对于每条目标字线，在可能干扰对目标字线的写的其他字线已这样被写之后，更多电荷被注入到其阈值电压由于与其他字线的写相关的干扰而还没升高到其期望值的目标字线的各单元中，以将这些阈值电压升高到其期望值。该方法的缺点是其减慢了各字线的写。实质上，该块中除了最后的字线以外的所有字线都必须被写两次。

发明内容

在此提供了存储数据的方法，该数据被组织在根据逻辑页地址顺序而排序的多个页中，该方法包括：(a)提供包括块的存储器，所述块包括按字线写顺序连续被写的多条字线；(b)接收所述多页数据；以及(c)将所述多页写入到所述多条字线，被连续地写入的各页的逻辑页地址顺序为使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管这些页按何顺序被接收。

在此还提供了存储数据的方法，该数据被组织在根据逻辑页地址顺序而排序的多个页中，该方法包括：(a)接收所述多页数据；以及(b)将各页数据发送到包括块的存储器，所述块包括按字线写顺序连续被写的多条字线，所述各页按发送顺序被发送，使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管这些页按何顺序被接收。

在此还提供了存储器器件控制器，其可操作以：(a)接收多个页以存储在存储器块中，所述存储器块包括按字线写顺序连续被写的多条字线，这些页根据逻辑页地址顺序被排序；以及(b)按发送顺序将各页发送到存储器块，使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址，而不管这些页按何顺序被接收。

在此还提供了一种系统，包括：(a)非易失性存储器，其中存储了存储器器件的驱动器，该存储器器件包括存储器块和写电路，所述存储器块包括多条字线，所述写电路可操作以按字线写顺序连续地写字线，所述驱动器包括：(i)用于接收多页数据以存储在存储器器件中的代码，这些页根据逻辑页地址顺序被排序；以及(ii)用于按照发送顺序将各页发送到所述写电路、使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址、而不管这些页按何顺序被接收的代码；以及(b)处理器，用于执行所述代码。

在此还提供了计算机可读存储介质，具有嵌入在其上的计算机可读代码，所述计算机可读代码是用于存储器器件的驱动器代码，该存储器器件包括：存储器块，具有多条字线；写电路，用于按字线写顺序连续地写字线；以及读电路，用于从所选字线读，所述计算机可读代码包括：(a)用于接收多页数据以存储在存储器器件中的程序代码，这些页根据逻辑页地址顺序被排序；以及(b)用于按照发送顺序将各页发送到所述写电路、使得被写入到所述字线中的任意一条的每页具有比被写入到任意随后被写的字线的任意页更高的逻辑页地址、而不管这些页按何顺序被接收的程序代码。