[发明专利]通过定向固化生长单晶硅锭的系统及方法无效
| 申请号： | 200980122771.5 | 申请日： | 2009-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102084037A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·P·卡塔克;圣塔纳·润格哈文·帕萨萨拉梯;布瓦拉盖斯艾米·G·拉维 | 申请（专利权）人： | GT太阳能公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;黄艳 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于产生如硅的单晶材料的系统及方法，该等单晶材料可使用在半导体和光伏打的应用中。于熔炉(10)中容置用于生长单晶锭的坩埚(50)，该坩埚(50)初始装有单一个种晶(20)和原料(90)，其中该种晶(20)至少部分被熔解，而该原料(90)完全熔解于该坩埚(50)中，接下来进行生长和固化程序。通过定向固化达到生长单晶材料(如硅锭)，其中利用可相对于装有原料(90)的坩埚(50)而移动的隔离件(14)来达到生长阶段期间的排热。也设置有热交换器(200)，以控制在该生长和固化程序期间来自该坩埚(50)的排热，以达到单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 定向 固化 生长 单晶硅 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于产生单晶锭的系统，包括：坩埚，其设置于熔炉中，且构造成容置单一个种晶和原料；至少一个加热组件，其用于加热和至少部分地熔解该种晶，并且将装于该坩埚中的该原料完全地熔解；热交换器，其用于控制来自该坩埚的排热，以促进来自该至少部分地熔解的种晶和该原料的该单晶锭的生长；以及隔离件，其装于该熔炉中，并构造成相对于该坩埚而移动，以促进该单晶锭的冷却和定向固化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于GT太阳能公司，未经GT太阳能公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980122771.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电脉冲孕育连续铸钢浇注装置
- 下一篇：打印装置及打印装置的控制方法
