[发明专利]包括同时刷新和读取或写入的动态随机存取存储器(DRAM)的电路、以及在这样的存储器中执行同时刷新和读取或写入的方法无效

专利信息
申请号: 200980122609.3 申请日: 2009-06-17
公开(公告)号: CN102067232A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 鲁洛夫·赫尔曼·威尔姆·索尔特 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种电路,包括:动态随机存取存储器,包括多个存储器单元;经由数据总线与所述存储器相连接的关联器件;存储器单元刷新装置,其中利用所述刷新装置,采用刷新访问来刷新存储器单元中的存储数据;经由所述数据总线,采用数据访问在关联器件和存储器单元之间交换数据,所述数据访问包括读取访问或写入访问,其中:所述电路包括冲突检查装置,该冲突检查装置对于给定的存储器单元,检测和通知对所述单元的第一类型的请求访问和对所述单元的第二类型的当前访问之间的冲突,所述第一类型是数据访问和刷新访问之一,所述第二类型是数据访问和刷新访问中的另一个。
搜索关键词: 包括 同时 刷新 读取 写入 动态 随机存取存储器 dram 电路 以及 这样 存储器 执行 方法
【主权项】:
一种电路,包括:‑动态随机存取存储器,包括多个存储器单元;‑经由数据总线与所述存储器相连接的关联器件;‑存储器单元刷新装置,其中‑利用所述刷新装置,采用刷新访问来刷新存储器单元中的存储数据;‑经由所述数据总线,采用数据访问在关联器件和存储器单元之间交换数据,所述数据访问包括读取访问或写入访问,其特征在于:所述电路包括冲突检查装置,该冲突检查装置对于给定的存储器单元,检测和通知对所述单元的第一类型的请求访问和对所述单元的第二类型的当前访问之间的冲突,所述第一类型是数据访问和刷新访问之一,所述第二类型是数据访问和刷新访问中的另一个。
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