[发明专利]使用索引编程和减少的验证的非易失性存储器和方法有效
申请号: | 200980122199.2 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN102067233A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 劳尔-阿德里安·瑟尼 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在非易失性存储器中,使用减少验证步骤数量的多遍索引编程方法分别将一组存储器单元并行编程到它们的目标状态。对于每个单元,维持编程索引来存储施加到该单元的最后的编程电压。在施加一系列递增的编程脉冲的第一遍编程期间索引每个单元。在第一遍编程之后跟有验证和一遍或多遍随后的编程以修整到各自目标状态的任何差量。如果单元未被验证到它的目标状态,则它的编程索引递增,并允许通过从最后接收的脉冲开始的下一脉冲来编程该单元。重复验证和编程遍,直到该组中所有单元被验证到它们各自的目标状态。在脉冲之间不需要验证操作。 | ||
搜索关键词: | 使用 索引 编程 减少 验证 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】:
在具有存储器单元的阵列的非易失性存储器中,其中每个存储器单元可编程到各自的目标状态,一种并行编程一组存储器单元的方法,包括:(a)为处于编程的该组的每个存储器单元提供编程索引,存储器单元的编程索引指示用于对该存储器单元编程的最后的编程电压电平;(b)将编程电压作为一遍编程中的一系列递增的电压脉冲施加到该组存储器单元;以及(c)根据存储器单元的编程索引,在该遍编程期间对该单元允许编程或禁止编程。
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