[发明专利]加热装置、膜形成装置及膜形成方法和元件有效
| 申请号： | 200980115755.3 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102017084A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 古村雄二;西原晋治;村直美 | 申请（专利权）人： | 株式会社菲尔科技 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/452;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵;雒纯丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可在玻璃基板上高效地形成膜的加热装置及具有此加热装置的膜形成装置。此膜形成装置具有对支撑台(26)上所载置的玻璃基板(24)的表面(25)垂直地喷吹比此玻璃基板的软化点温度高的高温气体的加热装置，且对所述玻璃基板的表面与高温气体一起同时喷吹热解而产生膜沉积的沉积用气体(43)。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 装置 形成 方法 元件 | ||
【主权项】：
一种加热装置，其特征在于：对支撑台上所载置的玻璃基板的表面垂直地喷吹比此玻璃基板的软化点温度高的高温气体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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