[发明专利]等离子体处理腔室的非平面面板无效
| 申请号： | 200980115050.1 | 申请日： | 2009-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102017813A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周建华;迪内士·帕德希;卡希克·贾纳基拉曼;笑·F·郑;航·于;尤加南德·N·萨利帕里;特西姆·萨姆曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用以在等离子体处理期间调整局部等离子体密度的方法与设备。一个实施例提供一种电极组件，其包含一具有一非平面表面的导电面板。该非平面表面建构成在处理期间面对该基板，且该导电面板经设置，使得该非平面表面与一具有电极的基板支撑件相对。该导电面板与该基板支撑件形成一等离子体容积。该非平面表面建构成通过改变该导电面板与该电极间的距离，调整该导电面板与该电极间的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 平面 面板 | ||
【主权项】：
一种用以处理基板的电极组件，包含：一导电面板，其具有一非平面表面，该非平面表面被建构成在处理期间面对该基板，其中该导电面板被设置使得该非平面表面与一具有电极的基板支撑件相对，该导电面板与该基板支撑件形成一等离子体容积，一RF功率源施加于该导电面板与该电极间，且该非平面表面被建构成通过改变该导电面板与该电极间的距离来调整该导电面板与该电极间的电场。
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