[发明专利]用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点

摘要

本发明涉及形成太阳能电池的触点。根据一个方案，根据本发明的叉合背接触(IBC)电池设计仅需要一个构图步骤来形成该叉合接合面(相对于其它设计的两个步骤)。根据另一方案，该背触点结构包括氮化硅或氮化的隧道电介质。其作用为一扩散屏障，因此可在高温工艺步骤期间维持该隧道电介质的性质，并可避免硼扩散通过该隧道电介质。根据另一方案，形成这些背触点的工艺不需要深的驱入扩散。

主权项

一种太阳能电池，包括：一基板，其具有一正面及一背面；一第一触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第一组多晶硅区；一第二触点结构，连接至形成在该基板背面上的一第二组多晶硅区，该第一及第二多晶硅区有相反的导电型；以及一隧道介电层，介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间。