[发明专利]用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点无效

专利信息
申请号: 200980112596.1 申请日: 2009-04-09
公开(公告)号: CN101999175A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 皮特·G·博登;徐力 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 多晶 发射极 太阳能电池 简化 触点
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

一基板,其具有一正面及一背面;

一第一触点结构,连接至形成在该基板背面上的一第一组多晶硅区;

一第二触点结构,连接至形成在该基板背面上的一第二组多晶硅区,该第一及第二多晶硅区有相反的导电型;以及

一隧道介电层,介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中所述隧道介电层包括一氮化物层。

3.如权利要求1所述的太阳能电池,其中所述第一及第二触点结构彼此叉合。

4.如权利要求1所述的太阳能电池,还包括形成在该基板的正面上的一钝化电介质。

5.一种制造一太阳能电池的方法,包括:

制备一基板,该基板具有一正面及一背面;

在该基板的背面上沉积一第一多晶硅层;

在该基板的背面上沉积一第二多晶硅层,该第一及第二多晶硅层具有相反的导电型;以及

执行一退火,其使该第一及第二沉积的多晶硅层在该基板的背面上形成各自的第一及第二多晶硅区。

6.如权利要求5所述的方法,还包括:

在执行该退火步骤之前形成一隧道介电层,该隧道介电层介于该第一及第二多晶硅区与该基板之间,其中该隧道介电层由阻断从这些多晶硅区至该基板的扩散的材料构成。

7.如权利要求6所述的方法,其中所述隧道介电层包括一氮化物层。

8.如权利要求5所述的方法,其中所述沉积该第一多晶硅层的步骤包括在该背面上沉积一p型多晶硅材料薄层,且其中沉积该第二多晶硅层的步骤包括在该第一多晶硅层上构图n型多晶硅材料的接线。

9.如权利要求5所述的方法,其中所述沉积该第一多晶硅层的步骤包括在该背面上构图n型多晶硅材料的接线,且其中沉积该第二多晶硅层的步骤包括在该背面及该第一多晶硅层上沉积一p型多晶硅材料层,并且在该第二多晶硅层内开孔,以暴露出该第一多晶硅层。

10.如权利要求9所述的方法,其中所述p型多晶硅材料包括一旋涂玻璃(SOG)。

11.如权利要求9所述的方法,其中所述退火步骤包括一驱入退火,后接一回流退火。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述驱入退火和回流退火均使用相同退火执行。

13.如权利要求5所述的方法,还包括:

形成第一及第二触点结构,分别接触该第一及第二多晶硅区。

14.如权利要求13所述的方法,其中所述第一及第二触点结构彼此叉合地形成。

15.如权利要求5所述的方法,还包括在该基板正面上形成一钝化电介质。

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