[发明专利]多位相变存储单元有效
| 申请号： | 200980111512.2 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101981721A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·R·A·古;托马斯·吉勒;朱迪特·G·利松尼;迪克尔·J·C·C·M·武泰;大卫·I·马德恩 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司;校际微电子中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种相变存储单元，具有多于一个的存储区域(14，18)，每个存储区域是变窄的相变存储材料区域(2)，其在第一和第二电极(4，6)之间延伸。可以通过应用合适的电流和/或电压编程条件将多个存储区域(14，18)中的每个存储区域编程为处于低电阻状态或高电阻状态。在多个存储区域中的每个存储区域中，高电阻状态的电阻和用于将高电阻状态转换为低电阻状态的编程条件均是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元，包括：在第一电极和第二电极(4，6)之间延伸的相变存储材料(2)；以及在第一电极和第二电极之间的相变存储材料中的多个存储区域(8)，其中，通过应用合适的电流和/或电压编程条件，多个存储区域(8)中的每个存储区域(8)能被编程为处于低电阻状态或高电阻状态；以及不同的存储区域具有不同的高电阻状态电阻以及不同的用于在高电阻状态和低电阻状态之间转换的编程条件。
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