[发明专利]形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构在审
| 申请号： | 200980110704.1 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101981662A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | B·塞尔;O·戈龙茨卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 堆叠 沟槽 接触 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在设置于基板上的第一ILD中形成接触开口，其中源/漏接触区域被暴露；在所述源/漏接触区域上形成硅化物；在所述硅化物上形成第一接触金属，以便填充所述接触开口；抛光所述第一接触金属，以便按设置于所述基板上的栅的顶表面来平坦化所述第一接触金属的顶表面；在所述栅的顶表面上沉积第二ILD；在所述第二ILD中形成第二接触开口；以及在所述第二接触开口中形成第二接触金属，其中所述第二接触金属与所述第一接触金属导电性地耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
