[发明专利]形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

在设置于基板上的第一ILD中形成接触开口，其中源/漏接触区域被暴露；

在所述源/漏接触区域上形成硅化物；

在所述硅化物上形成第一接触金属，以便填充所述接触开口；

抛光所述第一接触金属，以便按设置于所述基板上的栅的顶表面来平坦化所述第一接触金属的顶表面；

在所述栅的顶表面上沉积第二ILD；

在所述第二ILD中形成第二接触开口；以及

在所述第二接触开口中形成第二接触金属，其中所述第二接触金属与所述第一接触金属导电性地耦合。

2.如权利要求1所述的方法，还包括其中通过使用干法刻蚀工艺，所述第一ILD的一部分被去除以形成接触开口，其中ILD可以以比邻近所述栅设置的间隙壁材料和邻近所述间隙壁材料设置的nesl高得多的刻蚀速率进行刻蚀。

3.如权利要求2所述的方法，还包括去除设置在ILD下面的停止层的一部分，以及去除设置在置于基板上的栅、邻近间隙壁和邻近nesl的顶表面上的ILD的部分。

4.如权利要求2所述的方法，其中抛光所述第一接触金属以便平坦化所述第一接触金属的顶表面还包括其中与所述接触开口中的非-配准误差相关的所述间隙壁材料的深度被去除。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述接触开口还包括去除设置于所述基板的源漏区上的nesl的一部分，以便暴露所述源/漏接触区域。

6.如权利要求2所述的方法，还包括其中所述第二接触金属是锥形的。

7.如权利要求1所述的方法，还包括其中所述第一接触金属和所述第二接触金属形成堆叠接触结构，其中堆叠接触和栅的非配准误差工艺窗口增加。

8.一种方法，包括：

去除停止层的一部分以及去除设置在置于衬底上的栅、邻近间隙壁和邻近nesl的顶表面上的第一ILD的一部分，其中接触开口形成；

去除所述nesl的一部分，以对基板中的源/漏接触区域进行开口；

在所述源/漏接触区域上形成硅化物；

在所述接触开口中形成第一接触金属；

抛光所述第一接触金属，以便按所述栅的顶表面平坦化所述第一接触金属，其中间隙壁深度被去除；

在结构上沉积第二IILD；

在ILD中形成第二接触开口；以及

在所述第二接触开口中形成第二接触金属。

9.如权利要求8所述的方法，还包括其中所述间隙壁深度与接触刻蚀的刻蚀时间相对应。

10.如权利要求8所述的方法，还包括其中所述第一接触金属包括非锥形接触金属。

11.如权利要求8所述的方法，还包括其中所述第二接触金属包括底部和顶部，其中所述底部包括比所述顶部的直径小的直径。

12.如权利要求8所述的方法，还包括其中所述第一和第二接触金属彼此导电性地耦合且包括堆叠接触结构。

13.如权利要求8所述的方法，还包括其中所述栅包括金属栅。

14.如权利要求13所述的方法，还包括其中所述金属栅包括具有双金属栅的晶体管的一部分。

15.一种结构，包括：

设置在基板上的栅；

邻近所述栅设置的间隙壁材料；

设置在置于所述基板上的源/漏接触上的第一接触金属，其中所述第一接触金属邻近所述栅设置；以及

设置在所述第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中所述第二接触金属设置在置于所述栅的顶表面上的IID内。

16.如权利要求15所述的结构，其中所述栅包括金属栅。

17.如权利要求15所述的结构，其中所述第一和第二接触金属的至少一个包括钨、钛、氮化钛和钛钨中的至少一种。

18.如权利要求15所述的结构，其中所述第二接触金属包括顶部和底部，其中所述底部包括比所述顶部的直径小的直径。

19.如权利要求15所述的结构，其中所述源/漏接触还包括耦合到所述第一接触金属的硅化物。

20.如权利要求15所述的结构，其中所述第一接触金属包括非锥形的第一接触金属。