[发明专利]生产SiO2抗蚀层的组合物和其使用方法有效
| 申请号： | 200980110519.2 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101981227A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 维尔纳·斯托克姆;英戈·克勒;阿尔扬·梅耶;保尔·克雷格·布鲁克斯;凯蒂·帕特森;马克·詹姆斯 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/12 | 分类号： | C23C18/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张珂珂;郭国清 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及组合物，该组合物在半导体器件的制造过程中用于产生图案化的或结构化的SiO2层或产生SiO2线，并且该组合物适用于在喷墨操作中应用。本发明还涉及利用这些新的组合物制造半导体器件的改进方法。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 sio sub 抗蚀层 组合 使用方法 | ||
【主权项】：
制造半导体器件的方法，其特征在于通过使用可喷墨印刷的SiO2前体组合物，在基材表面上产生SiO2层或SiO2线。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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