[发明专利]磁性去耦合磁存储器单元和用于减少位选择错误的位线/字线有效
| 申请号： | 200980110020.1 | 申请日： | 2009-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101978426A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 所罗门·阿塞法;西瓦南达·K·卡纳卡萨巴帕希;詹纳茨·J·诺瓦克;菲利普·L·特劳伊劳德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出用于将磁存储器单元屏蔽开磁场的技术。根据本发明的一些方面，磁存储元件形成有电耦接到磁存储元件的至少一个导电段。导电段的至少一部分用磁衬层围绕。该磁衬层用于将由经过导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离磁存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 耦合 磁存储器 单元 用于 减少 选择 错误 字线 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，该存储器单元包括：磁存储元件；至少一个导电段，电耦接到所述磁存储元件；以及磁衬层，围绕所述至少一个导电段的至少一部分，该磁衬层用于将由经过所述至少一个导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离所述磁存储元件。
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