[发明专利]磁性去耦合磁存储器单元和用于减少位选择错误的位线/字线

权利要求书

1.一种存储器单元，该存储器单元包括：

磁存储元件；

至少一个导电段，电耦接到所述磁存储元件；以及

磁衬层，围绕所述至少一个导电段的至少一部分，该磁衬层用于将由经过所述至少一个导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离所述磁存储元件。

2.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述至少一个导电段包括位线、字线和读线至少之一。

3.如权利要求2所述的存储器单元，其中所述字线是双镶嵌字线。

4.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述磁衬层包括镍、铁和钴至少之一。

5.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述磁衬层位于所述至少一个导电段与所述磁存储元件之间。

6.如权利要求1所述的存储器单元，其中所述磁存储元件包括自旋动量转移器件。

7.一种存储器电路，该存储器电路包括：

多个存储器单元，

其中所述多个存储器单元的每个包括：(i)磁存储元件；(ii)至少一个导电段，电耦接到所述磁存储元件；以及(iii)磁衬层，围绕所述至少一个导电段的至少一部分，该磁衬层用于将由经过所述至少一个导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离所述磁存储元件。

8.如权利要求7所述的存储器电路，其中所述至少一个导电段包括位线、字线和读线至少之一。

9.如权利要求7所述的存储器电路，其中所述磁衬层包括镍、铁和钴至少之一。

10.如权利要求7所述的存储器电路，其中所述磁衬层位于所述至少一个导电段与所述磁存储元件之间。

11.一种将磁存储器单元屏蔽开磁场的方法，该方法包括以下步骤：

形成磁存储元件；

形成电耦接到所述磁存储元件的至少一个导电段；以及

用磁衬层围绕所述至少一个导电段的至少一部分，所述磁衬层用于将由经过所述至少一个导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离所述磁存储元件。

12.如权利要求11所述的方法，其中围绕的步骤还包括以下步骤：

形成靠近所述磁存储元件的沟槽；以及

在所述沟槽的至少一个表面上形成所述磁衬层。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述磁衬层形成在所述沟槽的至少一个表面的至少一部分上。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述至少一个导电段形成在所述磁衬层的所述至少一个表面上。

15.如权利要求14所述的方法，还包括以下步骤：

在所述至少一个导电段上形成所述磁衬层的一段；以及

蚀刻所述磁衬层的该段的至少一部分以在所述磁衬层中建立至少一个开口。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述磁衬层包括镍、铁和钴至少之一。

17.如权利要求11所述的方法，其中所述磁衬层位于所述至少一个导电段与所述磁存储元件之间。

18.一种将多个磁存储器单元屏蔽开各自的磁场的方法，该方法包括以下步骤：

形成多个磁存储元件；

形成电耦接到所述多个磁存储元件中的相应一个的至少一个导电段；以及

用磁衬层围绕所述至少一个导电段的至少一部分，所述磁衬层用于将由经过所述至少一个导电段的电流产生的磁场的至少一部分偏移远离所述多个磁存储元件中的相应一个。

19.如权利要求18所述的方法，其中用磁衬层围绕所述至少一个导电段的至少一部分的步骤还包括：

形成靠近所述多个磁存储元件的至少一个的沟槽；以及

在所述沟槽的至少一个表面上形成所述磁衬层。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述磁衬层形成在所述沟槽的所述至少一个表面上的至少一部分上。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述至少一个导电段形成在所述磁衬层的至少一个表面上。

22.如权利要求21所述的方法，还包括以下步骤：

在所述至少一个导电段的上表面上形成磁衬层的一段；以及

蚀刻所述磁衬层的该段的至少一部分以在所述磁衬层中建立至少一个开口。