[发明专利]图像感测装置和成像系统有效
申请号: | 200980108324.4 | 申请日: | 2009-03-09 |
公开(公告)号: | CN101965639A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 领木达也;小泉彻;小仓正德 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 卜荣丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种图像感测装置的特征在于包括:像素阵列;多个第一保持电容;多个第二保持电容;第一基准电源图案;和第二基准电源图案,其中,第一基准电源图案的至少一部分被配置在排列有所述多个第一保持电容的基准电源电极的第一区域中,第二基准电源图案的至少一部分被配置在排列有所述多个第二保持电容的基准电源电极的第二区域中,并且,在包含第一区域和第二区域的区域中,第一基准电源图案和第二基准电源图案被隔离。 | ||
搜索关键词: | 图像 装置 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种图像感测装置,其特征在于包括:以二维的方式排列多个像素并且向多个信号线输出信号的像素阵列;保持通过所述多个信号线传送的第一信号的多个第一保持电容;保持通过所述多个信号线在与第一信号不同的定时传送的第二信号的多个第二保持电容;用于所述多个第一保持电容的第一基准电源图案;和用于所述多个第二保持电容的第二基准电源图案,其中,第一基准电源图案的至少一部分被配置在排列有所述多个第一保持电容的基准电源电极的第一区域中,第二基准电源图案的至少一部分被配置在排列有所述多个第二保持电容的基准电源电极的第二区域中,并且,在包含第一区域和第二区域的区域中,第一基准电源图案和第二基准电源图案至少在第一区域和第二区域之间被隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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