[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法有效
| 申请号： | 200980105049.0 | 申请日： | 2009-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102016109A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 岩崎真明;小田喜文;佐藤武大 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社;索尼碟技术株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控溅射装置，具体为，其具备：溅射室，可以相对配置目标与成膜对象物；气体导入口，被设置成面向溅射室；磁铁，在溅射室的外部被设置成与目标相对，同时被设置成以对于中心呈偏心的位置为旋转中心可以进行旋转；传感器，检测磁铁在旋转面内的周向位置；及控制装置，根据磁铁在旋转中的周向位置与溅射室内的气体压力分布，开始对目标的电压外加使溅射室内发生放电。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射装置，其特征为，具备：溅射室，可以相对配置目标与成膜对象物；气体导入口，被设置成面向所述溅射室；磁铁，在所述溅射室的外部被设置成与所述目标相对，同时被设置成以对于自身的中心呈偏心的位置为旋转中心可以进行旋转；传感器，检测所述磁铁在旋转面内的周向位置；及控制装置，根据所述磁铁在旋转中的所述周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，开始对所述目标的电压外加，使所述溅射室内发生放电。
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