[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法

权利要求书

1.一种磁控溅射装置，其特征为，具备：

溅射室，可以相对配置目标与成膜对象物；

气体导入口，被设置成面向所述溅射室；

磁铁，在所述溅射室的外部被设置成与所述目标相对，同时被设置成以对于自身的中心呈偏心的位置为旋转中心可以进行旋转；

传感器，检测所述磁铁在旋转面内的周向位置；

及控制装置，根据所述磁铁在旋转中的所述周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，开始对所述目标的电压外加，使所述溅射室内发生放电。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射装置，其特征为，在所述溅射室内与所述气体导入口的位置相比，当所述磁铁的中心位于气体压力低的区域上时，所述控制装置开始对所述目标的电压外加。

3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射装置，其特征为，与在所述磁铁的旋转面内正交于连接所述气体导入口位置与所述磁铁旋转中心的直线并通过所述旋转中心的直线相比，当所述磁铁的中心位于更远离所述气体导入口位置的区域上时，所述控制装置开始对所述目标的电压外加。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的磁控溅射装置，其特征为，所述控制装置根据所述磁铁在旋转中的所述周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，结束对所述目标的电压外加。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射装置，其特征为，与在所述磁铁的旋转面内正交于连接所述气体导入口位置与所述磁铁旋转中心的直线并通过所述旋转中心的直线相比，当所述磁铁的中心位于更远离所述气体导入口位置的区域上时，所述控制装置结束对所述目标的电压外加。

6.根据权利要求4或5所述的磁控溅射装置，其特征为，在所述磁铁的中心位于与开始对所述目标的电压外加时相同的位置时，所述控制装置结束对所述目标的电压外加。

7.一种磁控溅射方法，其特征为，

在溅射室内相对配置目标与成膜对象物，

从被设置成面向所述溅射室的气体导入口将溅射气体导入到所述溅射室内，并且，使在所述溅射室的外部被设置成与所述目标相对的磁铁以对于其中心呈偏心的位置为旋转中心进行旋转，

根据所述磁铁在旋转中的旋转面内的周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，开始对所述目标的电压外加，使所述溅射室内发生放电。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射方法，其特征为，在所述溅射室内与所述气体导入口的位置相比，当所述磁铁的中心位于气体压力低的区域上时，开始对所述目标的电压外加。

9.根据权利要求7或8所述的磁控溅射方法，其特征为，与在所述磁铁的旋转面内正交于连接所述气体导入口位置与所述磁铁旋转中心的直线并通过所述旋转中心的直线相比，当所述磁铁的中心位于更远离所述气体导入口位置的区域上时，开始对所述目标的电压外加。

10.根据权利要求7～9中任意一项所述的磁控溅射方法，其特征为，根据所述磁铁在旋转中的旋转面内的周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，结束对所述目标的电压外加。

11.根据权利要求10所述的磁控溅射方法，其特征为，与在所述磁铁的旋转面内正交于连接所述气体导入口位置与所述磁铁旋转中心的直线并通过所述旋转中心的直线相比，当所述磁铁的中心位于更远离所述气体导入口位置的区域上时，结束对所述目标的电压外加。

12.根据权利要求10或11所述的磁控溅射方法，其特征为，在所述磁铁的中心位于与开始对所述目标的电压外加时相同的位置时，结束对所述目标的电压外加。