[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁控溅射装置及磁控溅射方法。

背景技术

以往，通过溅射成膜来进行例如对盘状记录媒体的树脂制基板的记录层或反射膜等的成膜。

专利文献1：日本国特开平5-311425号公报

专利文献2：日本国特开平5-179426号公报

专利文献3：日本国特开平11-144338号公报

由于迄今为止的光盘对于反射率不均的容许范围比较宽，因此影响反射率的反射膜的膜厚不均未成为问题。但是，尤其是对多层用例如2层用的半透膜要求具有周向均匀性。由于通过该半透膜读取全反射上的信息，因此半透膜的变动对于全反射膜作为更大的变动来给予影响，在这样的多层化或下一代高密度、大容量光盘中，由于对于反射率不均的容许范围变窄，因此在现在的膜厚不均的状态下，令人担忧的是保证生产品质的工程能力指数变低等品质降低问题。

现在，在光盘的成膜中，虽然可以得到径向膜厚分布比较稳定的光盘，但是周向膜厚分布的变动比较大。因此，为了抑制盘面整体的膜厚不均，尤其有效的方法是抑制周向的膜厚不均。

并且，为了实现膜厚的周向均匀化，如专利文献1、2所公开，虽然也可以考虑从处理室周向的多处均匀地导入气体的方法，但是装置的构造变复杂，另外，不能直接使用现在原有的装置。

另外，在专利文献3中公开有，在磁控溅射装置中，通过控制1次薄膜形成所需的时间中的磁铁的转速来实现基板上的膜厚均匀化的目的。但是，由于影响膜厚分布的成膜室内的等离子体分布除了依存于磁铁转速之外还依存于气体导入口的位置等，因此仅仅靠控制磁铁转速，在应用于今后尤其要求严格的膜厚品质的下一代光盘溅射成膜时尚不充分。

发明内容

本发明是基于上述问题而进行的，提供一种使膜厚的周向均匀性良好的磁控溅射装置及磁控溅射方法。

根据本发明的一个实施方式，提供一种磁控溅射装置，其特征为具备：溅射室，可以相对配置目标与成膜对象物；气体导入口，被设置成面向所述溅射室；磁铁，在所述溅射室的外部被设置成与所述目标相对，同时被设置成以对于自身的中心呈偏心的位置为旋转中心可以进行旋转；传感器，检测所述磁铁在旋转面内的周向位置；及控制装置，根据所述磁铁在旋转中的所述周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，开始对所述目标的电压外加，使所述溅射室内发生放电。

另外，根据本发明的另一个实施方式，提供一种磁控溅射方法，其特征为，在溅射室内相对配置目标与成膜对象物，从被设置成面向所述溅射室的气体导入口将溅射气体导入到所述溅射室内，并且，使在所述溅射室的外部被设置成与所述目标相对的磁铁以对于其中心呈偏心的位置为旋转中心进行旋转，根据所述磁铁在旋转中的旋转面内的周向位置与所述溅射室内的气体压力分布，开始对所述目标的电压外加，使在所述溅射室内发生放电。

附图说明

图1是表示本发明实施方式的磁控溅射装置概要构成的模式图。

图2是图1中主要部分的放大图。

图3是表示该磁控溅射装置中磁铁、目标、气体导入口的平面布局的模式图。

图4是表示在本发明实施方式中对目标进行的电压外加开始、结束时间的时间图。

图5是表示在对比例中对目标进行的电压外加开始、结束时间的时间图。

图6是表示在本发明者等进行的溅射成膜试验中气体导入位置、磁铁中心相对于测定原点的位置的模式图。

图7是表示对形成在基板上的膜的从基板中心到半径58mm位置的周向一周的反射率进行测定后的结果的曲线图，本发明者等通过溅射成膜试验在基板上形成膜。

符号说明

10-基板；13-溅射室；15-目标；16-磁铁；45-气体导入口；51-电源；53-传感器；55-控制装置。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示本发明实施方式的磁控溅射装置概要构成的模式图。图2是其主要部分的放大图。

该装置是对作为成膜对象物的例如对盘状记录媒体的基板10一张一张地分张式进行溅射成膜的磁控溅射装置，主要具备：具有溅射源或搬运机构等的装置主体8；向装置主体8的内外搬入、搬出基板10的外部搬运机构9；及设置在装置主体8外部的电源51、控制装置55等。

装置主体8具有：大致圆筒状的气密容器11；及直径比该气密容器11的直径大的大致圆筒状的气密容器12。气密容器11的内部作为溅射室13发挥作用，气密容器12的内部作为搬运室14发挥作用。