[发明专利]磁性设备制造方法有效
| 申请号： | 200980103944.9 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN102089819A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 山本直志 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/31;G11B5/855;H01F41/34;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造磁性设备的方法，其获得足够的处理精度而不增加掩模去除步骤。使用选自由Ti，Ta，W及其氧化物或氮化物组成的组中的一个，在磁性层(15)上形成第一掩模层(22)。使用Ru或Cr在第一掩模层上形成第二掩模层(23)。在第二掩模层上形成抗蚀图(RM)。通过利用抗蚀图使用包含氧气的反应性气体在第二掩模层上执行反应性离子蚀刻形成第二掩模图案(23A)。通过利用第二掩模图案使用包含卤素气体的反应性气体在所述第一掩模层上执行反应性离子蚀刻形成第一掩模图案(22A)。通过利用第一掩模图案使用包含氧气的反应性气体在所述磁性层上执行反应性离子蚀刻形成磁性图案(15A)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造磁性设备的方法，包括步骤：在基板上形成磁性层；使用选自由Ti，Ta，W及其氧化物和氮化物组成的组中的任意一种在所述磁性层上形成第一掩模层；使用Ru或Cr在所述第一掩模层上形成第二掩模层；在所述第二掩模层上形成抗蚀图；通过使用所述抗蚀图作为掩模用包含氧气的反应性气体在所述第二掩模层上执行反应性离子蚀刻形成第二掩模图案；通过使用所述第二掩模图案作为掩模用包含卤素气体的反应性气体在所述第一掩模层上执行反应性离子蚀刻形成第一掩模图案；以及通过使用所述第一掩模图案作为掩模用包含氧气的反应性气体在所述磁性层上执行反应性离子蚀刻形成磁性图案。
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