[发明专利]制造发光器件的方法有效
| 申请号： | 200980102761.5 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101926012A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造发光器件的方法。该方法包括：制备晶体生长表面具有a-面或m-面的衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成半导体层；以及通过去除所述缓冲层来分离所述半导体层与所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：制备晶体生长表面具有a 面或m 面的衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成半导体层；以及通过去除所述缓冲层，分离所述半导体层与所述衬底。
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