[发明专利]制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：

制备晶体生长表面具有a-面或m-面的衬底；

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成半导体层；以及

通过去除所述缓冲层，分离所述半导体层与所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括非极性衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，在分离所述半导体层之前，包括：

在所述半导体层上形成第一电极层，以及在所述第一电极层上形成支撑衬底，以及

在通过去除所述衬底而暴露的半导体层上形成第二电极层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层包括金属、金属氮化物、金属碳化物和金属氧化物之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层包括沟槽。

6.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：

制备衬底；

在所述衬底上形成图案；

在具有所述图案的衬底上形成半导体层；以及

通过利用所述图案作为基底来分离所述半导体层与所述衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述图案的面包括平行条状图案、具有多个矩形沟槽的图案和圆形图案之一。

8.根据权利要求6所述的方法，包括：

在具有所述图案的衬底上形成第一缓冲层。

9.根据权利要求8所述的方法，包括：

在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，以及

在所述第二缓冲层上形成半导体层。

10.根据权利要求6所述的方法，在所述缓冲层上形成所述半导体层之后，包括：

通过单元器件分离区来分离所述半导体层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述单元器件分离区部分地对应于至少在所述衬底上的图案。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在分成所述单元器件的半导体层上形成第一电极；

在所述第一电极上形成支撑衬底；

通过利用所述第一缓冲层作为基底来去除所述衬底；以及

在通过去除所述衬底而暴露的半导体层上形成第二电极。

13.根据权利要求10所述的方法，在通过单元器件分离区分离所述半导体层之后，包括：

在暴露的半导体层的至少一部分上形成钝化层。

14.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：

制备衬底；

在所述衬底上形成第一缓冲层；

在具有所述第一缓冲层的衬底上形成图案；

在具有所述图案的衬底上形成半导体层；以及

通过利用所述图案作为基底来分离所述半导体层与所述衬底。

15.根据权利要求14所述的方法，包括：

在具有所述图案的第一缓冲层上形成第二缓冲层；以及

在所述第二缓冲层上形成所述半导体层。

16.根据权利要求14所述的方法，在形成所述半导体层之后，包括：

通过单元器件分离区来分离所述半导体层，

其中，所述单元器件分离区对应于至少在衬底上的图案。