[实用新型]闪存储存装置吸附结构无效
| 申请号： | 200920218190.9 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN201527871U | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 庄裕雄;江秋燕 | 申请（专利权）人： | 华东承启科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发;艾晶 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型为有关于一种闪存储存装置吸附结构，此闪存储存装置运用在吸附金属物质上，其中该闪存储存装置具有吸附体及盖体，而所述的吸附体本身具有磁力特性，利用所产生的磁力能让闪存储存装置的任一接触面吸附于任何金属物质上，而盖体亦具有等同于吸附体的磁力特性，另外，于吸附体内侧面则披覆有防磁层，透过防磁层可供削减往该闪存储存装置内部的磁力线，如此，能让闪存储存装置的任何接触面透过磁性，吸附于任何金属物品上，以达到便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 储存 装置 吸附 结构 | ||
【主权项】：
一种闪存储存装置吸附结构，该闪存储存装置运用于吸附于一金属物质上，其特征在于：该闪存储存装置具有一供产生磁力的吸附体，于该吸附体内侧面披覆有一供削减往该闪存储存装置内部的磁力线的防磁层。
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