[实用新型]多晶硅还原炉有效
申请号: | 200920210006.6 | 申请日: | 2009-09-24 |
公开(公告)号: | CN201512418U | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 程佳彪;张华芹;茅陆荣;周积卫 | 申请(专利权)人: | 上海森松压力容器有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03;C30B29/06 |
代理公司: | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人: | 陈贞健 |
地址: | 201208 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种多晶硅还原炉,其包括炉体和底盘,在底盘上均匀设置36对电极。本实用新型的多晶硅还原炉内部结构布局合理,单台还原炉每批次产量较现有的还原炉有大幅度提升,每公斤多晶硅的电耗相应降低,多晶硅的综合生产成本和能耗也相应降低。 | ||
搜索关键词: | 多晶 还原 | ||
【主权项】:
一种多晶硅还原炉,其包括炉体和底盘(3),其特征在于,在底盘(3)上均匀设置36对电极(11)。
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