[实用新型]单晶硅炉用IGBT直流电源有效

专利信息
申请号: 200920143979.2 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN201479018U 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 毛家信 申请(专利权)人: 宁夏日晶电子科技有限公司
主分类号: H02M5/40 分类号: H02M5/40;H02M1/12;H02M1/14
代理公司: 宁夏专利服务中心 64100 代理人: 赵明辉
地址: 753000 宁夏回族自治区石嘴*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 实用新型涉及直流电源,尤其是单晶硅炉用IGBT直流电源,其特点是,包括其输入端与交流电源连接的桥式整流电路,该桥式整流电路的输出端通过LC滤波电路接高频逆变电路从而将经过整流滤波后的直流电逆变为交流电,该高频逆变电路的输出端与一高频变压器的输入端连接,该高频变压器的输出端通过整流电路与电感滤波电路连接从而供输出。本实用新型电源与传统可控硅电源相比本项目IGBT直流电源系统的其主要性能优势如下:体积小,不占空间,无谐波污染,无大功率变压器损耗功率,没有无功功率,占空比小,比可控硅控制方式省电约30%,脉动率RMS<3%,拉晶纹波小。
搜索关键词: 单晶硅 igbt 直流电源
【主权项】:
一种单晶硅炉用IGBT直流电源,其特征在于:包括其输入端与交流电源连接的桥式整流电路,该桥式整流电路的输出端通过LC滤波电路接高频逆变电路从而将经过整流滤波后的直流电逆变为交流电,该高频逆变电路的输出端与一高频变压器的输入端连接,该高频变压器的输出端通过整流电路与电感滤波电路连接从而供输出。
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