[实用新型]单晶硅炉用IGBT直流电源有效
| 申请号： | 200920143979.2 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN201479018U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 毛家信 | 申请（专利权）人： | 宁夏日晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M5/40 | 分类号： | H02M5/40;H02M1/12;H02M1/14 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 赵明辉 |
| 地址： | 753000 宁夏回族自治区石嘴*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 igbt 直流电源 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：包括其输入端与交流电源连接的桥式整流电路，该桥式整流电路的输出端通过LC滤波电路接高频逆变电路从而将经过整流滤波后的直流电逆变为交流电，该高频逆变电路的输出端与一高频变压器的输入端连接，该高频变压器的输出端通过整流电路与电感滤波电路连接从而供输出。
2.如权利要求1所述的单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：其中高频逆变电路是以IGBT为功率开关管的全桥逆变电路。
3.如权利要求1所述的单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：其中高频逆变电路逆变工作频率为20-25KHZ。
4.如权利要求1所述的单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：其中桥式整流电路中的二极管均为肖特基二极管。
5.如权利要求1所述的单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：其中高频变压器后端的整流电路为桥式整流电路。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的单晶硅炉用IGBT直流电源，其特征在于：其中交流电源与桥式整流电路之间还接有空气开关和熔断器。
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