[实用新型]用纳米级雾状化学剂处理基片的系统无效
| 申请号： | 200920076311.0 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN201417758Y | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 倪党生 | 申请（专利权）人： | 倪党生 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 邓 琪 |
| 地址： | 201612上海市莘松路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用纳米级雾状化学剂处理基片的系统，包括基片清洗容器，其具有顶盖和容器本体，该容器本体内部中间设有基片承载部分；该容器本体的侧面上部设有一组可使雾状化学剂、去离子水和氮气流入容器的阀门；容器本体底部设有一组通风和排水阀门；所述容器基片承载部分包括可旋转的基片承载盘和布置在所述基片承载盘上的周边部分、用于压紧所述单基片的离心压紧块。尤其适用于对12英寸以上的集成电路硅片和掩模板，以及高清晰的液晶、等离子、有机发光等新型显示器的平板基片湿处理过程，使湿处理工艺更加有效，最大限度地节约了化学剂和去离子水的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 雾状 化学剂 处理 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用纳米级雾状化学剂处理基片的系统，包括基片清洗容器，其具有顶盖和容器本体，该容器本体内部中间设有基片承载部分；该容器本体的侧面上部设有一组可使雾状化学剂、去离子水和氮气流入容器的阀门；容器本体底部设有一组通风和排水阀门；其特征在于，所述容器基片承载部分包括可旋转的基片承载盘和布置在所述基片承载盘上的周边部分、用于压紧所述单基片的离心压紧块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
