[实用新型]湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置无效
申请号: | 200920074633.1 | 申请日: | 2009-10-22 |
公开(公告)号: | CN201538818U | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 董锐;蔡亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C23F1/08 | 分类号: | C23F1/08;C30B33/10 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张骥 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置,包括喷淋管,喷淋管上均布有喷淋孔,所述喷淋孔的喷淋角度为向上45°。所述喷淋孔为一排。所述喷淋孔的孔径为1.8mm。本实用新型喷淋出的水流量均一性更好,能够有效减少晶圆与晶圆间水流量的差异,使晶圆与晶圆间氧化膜刻蚀量差异性减小,从而改善晶圆与晶圆间氧化膜刻蚀量的均一性。 | ||
搜索关键词: | 湿法 氧化 刻蚀 设备 水槽 装置 | ||
【主权项】:
一种湿法氧化膜刻蚀设备水槽装置,包括喷淋管,喷淋管上均布有喷淋孔,其特征在于:所述喷淋孔的喷淋角度为向上45°。
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